單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中，粉煤灰磚的外形為（）
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
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1.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊應存放（）天以上方可出廠。
A、3
B、5
C、7
D、14
2.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊型式檢驗的項目包括（）。
A、尺寸偏差
B、外觀質量
C、強度等級
D、標準中技術要求的全部項目
3.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊同品種、同規(guī)格、同等級的砌塊，以（）塊為一批，不足該數(shù)量亦為一批。
A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
4.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊抗凍性的試驗按（）的規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
5.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊干燥收縮值的試驗按（）規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
最新試題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
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影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
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下列是晶體的是（）。
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
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