單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中裂紋長度以在三個方向上分別測得的（）作為測量結(jié)果。
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定高度應(yīng)在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定寬度應(yīng)在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定長度應(yīng)在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中尺寸測量的量具應(yīng)為（）。
A、游標卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
5.問答題裝飾塑料制品的種類有哪些？其用途如何？
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題