單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定高度應(yīng)在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定寬度應(yīng)在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定長度應(yīng)在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中尺寸測量的量具應(yīng)為（）。
A、游標卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
4.問答題裝飾塑料制品的種類有哪些？其用途如何？
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題