BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是MOS器件的體效應？

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？