集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？