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電路如圖所示。設(shè)u_i是正弦信號，晶體管工作在放大區(qū)，各電容對信號可視作短路。 
（1）試畫出與ui相對應(yīng)的u_BE、B_i、C_i和u_CE的波形。
（2）將圖中的晶體管改成PNP管，U_CC改成負電源，重復(fù)（1）。

晶體管電路如圖所示。已知β＝100，U_BE＝-0.3V。
（1）估算直流工作點I_CQ、U_CEQ。 
（2）若偏置電阻R_B1、R_B2分別開路，試分別估算集電極電位U_C值，并說明各自的工作狀態(tài)。 
（3）若R_B2開路時要求I_CQ＝2mA，試確定R_B1應(yīng)取多大值。

如圖（a）、（b）所示分別為固定偏置和分壓式電流負反饋偏置放大電路。兩個電路中的晶體管相同，U_BE（on）=0.6V。在20℃時晶體管的β=50，55℃時，β=70。試分別求兩種電路在20℃時的靜態(tài)工作點，以及溫度升高到55℃時由于β的變化引起I_CQ的改變程度。

硅晶體管電路如圖所示。設(shè)晶體管的U_BE（on）=0.7V，β=100。判別電路的工作狀態(tài)。

某晶體管的共射輸出特性曲線如圖所示。
（1）求I_BQ=0.3mA時，Q₁、Q₂點的β值。
（2）確定該管的U_（BR）CEO和P_CM。

N+PN型晶體管基區(qū)的少數(shù)載流子的濃度分布曲線如圖所示，其中n_b0表示平衡時自由電子的濃度。 
（1）說明每種濃度分布曲線所對應(yīng)的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置狀態(tài)。 
（2）說明每種濃度分布曲線所對應(yīng)的晶體管的工作狀態(tài)。

已測得晶體管電極管各電極對地電位如圖所示，試判別各晶體管的工作狀態(tài)（放大、飽和、截止或損壞）。

已知晶體管工作在線性放大區(qū)，并測得個電極對地電位如圖所示。試畫出各晶體管的電路符號，確定每管的b、e、c極，并說明是鍺管還是硅管。

穩(wěn)壓管電路如圖所示。
（1）設(shè)U_i=（1±10%）V，穩(wěn)壓管D_Z的穩(wěn)定電壓U_Z=10V，允許最大穩(wěn)定電流I_Zmax=30mA，I_Zmin=5mA，R_Lmin=800Ω,R_Lmin=∞。試選擇限流電阻R的值。
（2）穩(wěn)壓管的參數(shù)如（1）中所示，R=100Ω，R_L=250Ω，試求U_i允許的變化范圍。
（3）穩(wěn)壓管的參數(shù)如（1）中所示，當U_Z=10V時，其工作電流I_Z=20mA，r_Z=12Ω，如U_i=20V不變，試求R_L從無窮大到1kΩ時，輸出電壓變化的值ΔU₀為多少？