集成電路工藝原理判斷題每日一練(2020.04.29)

來源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散，因為它會導(dǎo)致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

2.判斷題電機電流終點檢測不適合用作層間介質(zhì)的化學(xué)機械平坦化。

3.判斷題刻蝕的高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。

4.判斷題在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進和激活。

5.判斷題純凈的半導(dǎo)體是一種有用的半導(dǎo)體。