集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2018.11.15)

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1.判斷題CVD是利用某種物理過(guò)程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。

2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述溝道效應(yīng)的含義及其對(duì)離子注入可能造成的影響如何避免？

參考答案：對(duì)晶體進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)離子注入的方向與與晶體的某個(gè)晶向平行時(shí)，一些離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，受到的核阻止作用很小，而且溝道中的...

3.名詞解釋接觸

是指芯片內(nèi)的器件與第一層金屬之間在硅表面的連接。

4.名詞解釋化學(xué)氣相沉積

參考答案：化學(xué)氣體或蒸氣和晶圓表面的固體產(chǎn)生反應(yīng)，在表面上以薄膜形式產(chǎn)生固態(tài)的副產(chǎn)品，其它的副產(chǎn)品是揮發(fā)性的會(huì)從表面離開(kāi)。

5.填空題硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟（）、（）和（）。

參考答案：預(yù)淀積；推進(jìn)；激活

6.名詞解釋離子注入的溝道效應(yīng)

當(dāng)離子沿晶軸方向入射時(shí)，大部分離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，不會(huì)受到原子核的散射，方向基本不變，可以走得很遠(yuǎn)。

7.名詞解釋同質(zhì)外延

外延層與沉底的材料相同。

8.問(wèn)答題矩形片式電阻由哪幾部分組成？各部分的主要作用是什么？

參考答案：基板：基板要具有良好的電絕G8P-1A4PDC12緣性、導(dǎo)熱性和機(jī)械強(qiáng)度高等特征。一般基板的材科多采用高純度的（96%）...

9.問(wèn)答題比較投影掩模版和光學(xué)掩模版有何異同？說(shuō)明采用什么技術(shù)形成投影掩模版上的圖形？

參考答案：投影掩膜版：圖形可能僅包含一個(gè)管芯，也可能是幾個(gè)。容易形成亞微米圖形；小曝光場(chǎng)，需要步進(jìn)重復(fù)；光學(xué)縮小，允許較大的尺寸。...

10.名詞解釋投影射程

射程在離子入射方向投影的長(zhǎng)度。