A.表面液浸式
B.深度液浸式
C.側(cè)面液浸式
D.全浸沒(méi)式
E.局部浸沒(méi)式
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A.耦合不易穩(wěn)定
B.被檢表面要求粗糙度較小
C.手工操作受人為因素影響大
D.超聲波在界面的反射能量損失大
E.需采用較高的增益
A.操作方便
B.適用現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，成本低
C.要求被檢表面的粗糙度較小
D.耦合容易穩(wěn)定
E.直接耦合，入射聲能損失少
A.衍射信號(hào)與缺陷的方向無(wú)關(guān)
B.缺陷檢出率高
C.超聲波束覆蓋區(qū)域大
D.缺陷高度測(cè)量精確
E.實(shí)時(shí)成像快速分析
A.確定缺陷當(dāng)量大小
B.計(jì)算靈敏度調(diào)節(jié)量
C.孔形換算
D.制作AVG曲線
E.確定缺陷形狀
A.表面狀態(tài)
B.形狀
C.缺陷位置
D.缺陷取向
E.尺寸
最新試題
非金屬夾雜等缺陷的聲阻抗與鋼的聲阻抗相差很小，聲波在缺陷上的透射和吸收明顯高于白點(diǎn)和氣孔等缺陷。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí)，而又沒(méi)有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，會(huì)使定量誤差增加，精度下降。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。
動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流，在外加磁場(chǎng)的作用下，在工件中形成超聲波波源。