在一本征硅中,摻入施主雜質(zhì),其濃度ND=2×1014cm-3。
(1)求室溫300K時(shí)自由電子和空穴的熱平衡濃度值,并說明半導(dǎo)體為P型或N型。
(2 )若再摻入受主雜質(zhì),其濃度NA=3×1014cm-3,重復(fù)(1)。
(3)若ND=NA=1015cm-3,重復(fù)(1)。
(4)若ND=1016cm-3,NA=1014cm-3,重復(fù)(1)。
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C.低,高
D.低,低
A./*...*/
B.{...}
C.begin...end
D.module...endmodule
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。
?
A.10
B.15
C.12.5
D.8
A.高,高
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D.低,低
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