單項(xiàng)選擇題下列()種材料進(jìn)行渦流檢測(cè)時(shí)必須采用磁飽和技術(shù)?

A.黃銅
B.鋁
C.低碳鋼
D.石墨


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1.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行渦流檢測(cè)時(shí),根據(jù)下列()種參數(shù)的變化可檢出試件表面缺陷?

A.檢測(cè)線圈的阻抗
B.激勵(lì)信號(hào)的頻率
C.檢測(cè)線圈的電壓
D.A或C

3.單項(xiàng)選擇題GB7735中A級(jí)與B級(jí)的質(zhì)量區(qū)別為:()。

A.B級(jí)高于A級(jí)
B.A級(jí)高于B級(jí)
C.A級(jí)等于B級(jí)
D.以上都不對(duì)

4.單項(xiàng)選擇題鋼管渦流探傷成套設(shè)備同心度不良的主要后果是:()。

A.信噪比低
B.增大端部不可探區(qū)
C.周向靈敏度不均
D.易磨損探頭

最新試題

經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。

題型:判斷題

檢測(cè)曲面工件時(shí),探頭與工件接觸有兩種情況,一是平面與曲面接觸,另一種是將探頭斜楔磨成曲面,探頭與工件曲面接觸。

題型:判斷題

缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

題型:判斷題

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。

題型:判斷題

在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

題型:判斷題

發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。

題型:判斷題

無論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。

題型:判斷題

儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié),當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí),儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。

題型:判斷題

對(duì)于比正??v波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。

題型:判斷題

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

題型:判斷題