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問答題
【簡答題】試述MOS管溝道長度L和寬度W與閾值電壓的關系。
答案：
當MOS工藝發(fā)展到亞微米、深亞微米水平后，必須考慮二階效應。這時，隨著溝道長度L的減小，閾值電壓將減??；隨著溝道寬度W的...
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問答題
【簡答題】什么是MOSFET的閾值電壓，它受哪些因素影響？
答案：
閾值電壓V
t
是使半導體表面達到強反型所需加的柵極電壓。它受襯底摻雜濃度、體效應、半導體材料的費米勢等的影響。
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【計算題】已知突變PN結零偏勢壘電容為3pF，內建勢壘電壓為0.5V，計算10V反偏電壓時的勢壘電容。
答案：
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【簡答題】與CMOS工藝相比，GaAs工藝有什么主要特點？
答案：
與CMOS工藝相比，GaAs工藝具有速度高、噪聲小、驅動能力強的優(yōu)點。但其缺點是價格高、功耗大、成品率低。
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【簡答題】GaAs HEMT與MESFET的主要區(qū)別是什么？
答案：
HEMT也屬于FET的一種，它有與MESFET相似的結構。HEMT與MESFET之間的區(qū)別在于有源層。
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【簡答題】目前GaAs工藝有哪幾類？
答案：
GaAs工藝分為三大類：GaAs MESFET，GaAs HEMT，GaAs HBT。
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【簡答題】與以P阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝相比，以N阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝有什么特點？
答案：
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【簡答題】BiCMOS工藝技術常分為哪兩類？它們各有什么特點？
答案：
BiCMOS工藝技術大致可以分為兩類：分別是以CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝和以雙極工藝為基礎的BiCMOS工藝。...
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【簡答題】常規(guī)雙極型工藝需要幾次光刻？每次光刻分別有什么作用？
答案：
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【簡答題】雙極、CMO和BiCMOS集成電路器件各有何特點？
答案：
雙極器件具有速度高、驅動能力強和低噪聲等特性，但功耗大而且集成度低。CMOS器件具有低功耗、集成度高和抗干擾能力強等優(yōu)點...
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【簡答題】為什么在相同工藝條件和相同幾何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同柵長的N管和P管要達到相同的速度，理論上N管和P管要滿足什么條件？
答案：
因為NMOS管的導電溝道是由帶負電的電子累積而成，而PMOS管的導電溝道是由帶正電的空穴累積而成，由于電子的遷移率大約是...
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