最新試題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
題型：?jiǎn)柎痤}
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題