定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質并說明它們是n型還是p型？

描述RF濺射系統(tǒng)。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。

哪種化學氣體經常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

描述電子回旋共振（ECR）。

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關系。