你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題
晶閘管穩(wěn)定導(dǎo)通的條件（）。
A.晶閘管陽極電流大于晶閘管的擎住電流
B.晶閘管陽極電流小于晶閘管的擎住電流
C.晶閘管陽極電流大于晶閘管的維持電流
D.晶閘管陽極電流小于晶閘管的維持電流
單項(xiàng)選擇題
下列電路中，不可以實(shí)現(xiàn)有源逆變的有（）。
A.三相半波可控整流電路
B.三相橋式全控整流電路
C.單相橋式可控整流電路
D.單相全波可控整流電路外接續(xù)流二極管
填空題
在下圖中，（）和（）構(gòu)成降壓斬波電路使直流電動機(jī)電動運(yùn)行，工作于第1象限；（）和（）構(gòu)成升壓斬波電路，把直流電動機(jī)的動能轉(zhuǎn)變成為電能反饋到電源，使電動機(jī)作再生制動運(yùn)行，工作于（）象限。

答案：V₁；VD₁；V₂；VD₂；第2
填空題
電力變換通?？煞譃椋海ǎⅲǎ?、（）和（）。
答案：交流變直流；直流變交流；直流變直流；交流變交流
填空題
晶閘管串聯(lián)時，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是（）措施。
答案：均壓
填空題
功率因數(shù)由（）和（）這兩個因素共同決定的。
答案：基波電流相移；電流波形畸變
填空題
（）存在二次擊穿現(xiàn)象，（）存在擎住現(xiàn)象。
答案：GTR；IGBT
問答題
【簡答題】簡述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因。
答案：（1）外部條件：要有一個能提供逆變能量的直流電源，且極性必須與直流電流方向一致，其電壓值要稍大于Ud；
（2）...
問答題
【簡答題】簡述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。
答案：晶閘管導(dǎo)通的條件是：陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導(dǎo)通。門極所加正向觸發(fā)脈沖...
單項(xiàng)選擇題
IGBT是一個復(fù)合型的器件，它是（）。
A.GTR驅(qū)動的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動的GTR
C.MOSFET驅(qū)動的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動的GTO

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若增大SPWM逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是（）。

你可能感興趣的試題

晶閘管穩(wěn)定導(dǎo)通的條件（）。

下列電路中，不可以實(shí)現(xiàn)有源逆變的有（）。

電力變換通?？煞譃椋海ǎⅲǎ?、（）和（）。

晶閘管串聯(lián)時，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是（）措施。

功率因數(shù)由（）和（）這兩個因素共同決定的。

（）存在二次擊穿現(xiàn)象，（）存在擎住現(xiàn)象。

【簡答題】簡述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因。

【簡答題】簡述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。

IGBT是一個復(fù)合型的器件，它是（）。

若增大SPWM逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是（）。

你可能感興趣的試題

晶閘管穩(wěn)定導(dǎo)通的條件（）。

下列電路中，不可以實(shí)現(xiàn)有源逆變的有（）。

電力變換通?？煞譃椋海ǎⅲǎ?、（）和（）。

晶閘管串聯(lián)時，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是（）措施。

功率因數(shù)由（）和（）這兩個因素共同決定的。

（）存在二次擊穿現(xiàn)象，（）存在擎住現(xiàn)象。

【簡答題】簡述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因。

【簡答題】簡述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。

IGBT是一個復(fù)合型的器件，它是（）。

若增大SPWM逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是（）。

晶閘管穩(wěn)定導(dǎo)通的條件（）。

下列電路中，不可以實(shí)現(xiàn)有源逆變的有（）。

電力變換通?？煞譃椋海ǎⅲǎ?、（）和（）。

晶閘管串聯(lián)時，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是（）措施。

功率因數(shù)由（）和（）這兩個因素共同決定的。

【簡答題】簡述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因。

IGBT是一個復(fù)合型的器件，它是（）。