單項(xiàng)選擇題IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件,它是()。

A.GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR
C.MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO


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1.單項(xiàng)選擇題已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流()。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

2.單項(xiàng)選擇題為限制功率晶體管的飽和深度,減少存儲(chǔ)時(shí)間,桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用()。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路

3.單項(xiàng)選擇題直流斬波電路是一種()變換電路。

A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC

4.單項(xiàng)選擇題桓流驅(qū)動(dòng)電路中加速電容C的作用是()。

A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關(guān)斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護(hù)器件

5.單項(xiàng)選擇題電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,控制角的范圍是()。

A.30°~150
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°

最新試題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼,需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。

題型:判斷題

3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器,需要()塊JK觸發(fā)器。

題型:單項(xiàng)選擇題

碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型:判斷題

從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。

題型:單項(xiàng)選擇題

下列受時(shí)鐘控制的是()

題型:單項(xiàng)選擇題

下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()

題型:單項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題