A.照射量
B.有效劑量
C.比釋動能
D.吸收劑量
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A.按現(xiàn)行檢測標(biāo)準(zhǔn)編制,適用于單位的檢測對象
B.滿足相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)的要求
C.滿足相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)要求
D.經(jīng)濟(jì)上合理
A.比例計數(shù)器
B.電離室
C.半導(dǎo)體檢測器
D.GM計數(shù)器
A.焦點(diǎn)或射源尺寸
B.黑度
C.增感屏類型
D.射線線質(zhì)
A.透照厚度均一,所得底片的黑度均一
B.靈敏度高
C.對接焊接接頭中的橫向缺陷檢出率最高
D.一次曝光能完成整條環(huán)縫的檢測,檢測效率高
A.顯影劑
B.保護(hù)劑
C.促進(jìn)劑
D.抑制
最新試題
在檢測晶粒粗大和大型工件時,應(yīng)測定材料的衰減系數(shù),計算時應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
無論聲波相對于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
對于圓柱體而言,外圓徑向檢測實(shí)心圓柱體時,入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時,接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
對于橫波斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同,因此探頭K值偏差也會影響缺陷的定量。
對于比正常縱波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。
動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。