問(wèn)答題解釋增強(qiáng)型晶體管和耗盡型晶體管使用情況的區(qū)別。
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2.問(wèn)答題BiCMOS使用了哪兩種集成電路技術(shù)？
3.問(wèn)答題MOSFET有哪兩種類型，他們?cè)鯓訁^(qū)分？
4.問(wèn)答題FET的兩種基本類型是什么，他們之間的主要區(qū)別是什么？
5.問(wèn)答題場(chǎng)效應(yīng)管有什么優(yōu)點(diǎn)？
最新試題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題