如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）