描述電子回旋共振（ECR）。

描述RF濺射系統(tǒng)。

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個(gè)步驟。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。

定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。