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填空題單晶硅太陽能電池采用（）表面來增加表面積，用沉積Si₃N₄作（）膜來降低入射光的反射，用在擴(kuò)散層表面氧化生長（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價(jià)鍵失配，減少表面復(fù)合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si₃N₄時(shí)，反應(yīng)中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）

參考答案： 絨化；減反膜；10~25；介面態(tài)

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1.填空題圓筒式等離子刻蝕的（），適用于（）工藝；反應(yīng)離子刻蝕，（），可以用通入不同的工藝氣體，實(shí)現(xiàn)好的選擇性，適合于對（）和（）的刻蝕。

參考答案：方向性差，刻蝕速率慢，過刻蝕性能好；去膠；方向性好，刻蝕速率高；SiO₂、Al、Si₃N₄；多晶硅

2.填空題干法刻蝕的終點(diǎn)檢測有許多方法，通常采用的是（）終點(diǎn)檢測方法。

參考答案：殘余氣體質(zhì)譜分析、等離子室光發(fā)射譜分析和激光干涉

3.問答題實(shí)用的等離子體刻蝕工藝必須滿足哪些條件？

參考答案：

1.反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性的；
2.選擇比率高；
3.刻蝕速率快；
4.具有好的終點(diǎn)靈敏性；
5.有好的各向異性刻蝕速率。

4.填空題離子注入摻雜劑量偏差的原因主要來源于：（）、（）和可能的（）。例如：當(dāng)作²⁸Si⁺注入時(shí)，可能有真空系統(tǒng)中剩余氣體產(chǎn)生的（）也會同時(shí)注入。

參考答案：中性原子注入；二次電子效應(yīng)；相同荷質(zhì)比離子的注入；N₂⁺

5.填空題Al柵CMOS的極限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工藝

參考答案：5微米；多晶硅柵