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填空題

單晶硅太陽(yáng)能電池采用（）表面來(lái)增加表面積，用沉積Si₃N₄作（）膜來(lái)降低入射光的反射，用在擴(kuò)散層表面氧化生長(zhǎng)（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價(jià)鍵失配，減少表面復(fù)合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si₃N₄時(shí)，反應(yīng)中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）

答案：絨化；減反膜；10~25；介面態(tài)

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圓筒式等離子刻蝕的（），適用于（）工藝；反應(yīng)離子刻蝕，（），可以用通入不同的工藝氣體，實(shí)現(xiàn)好的選擇性，適合于對(duì)（）和（）的刻蝕。

答案：方向性差，刻蝕速率慢，過(guò)刻蝕性能好；去膠；方向性好，刻蝕速率高；SiO₂、Al、Si₃N₄；多晶硅

干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)有許多方法，通常采用的是（）終點(diǎn)檢測(cè)方法。

答案：殘余氣體質(zhì)譜分析、等離子室光發(fā)射譜分析和激光干涉