問答題由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進(jìn)展?
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鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下列對(duì)焊接可靠性無影響的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:單項(xiàng)選擇題