鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。

下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。

為了獲得好的性能，塑封料的電學性必須得到控制。

下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點，說法正確的是（）。

WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。

鍵合工藝失效，，鍵合點尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。

倒裝芯片的連接方式有（）。

在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強，（）再次來到大眾視線

關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。