問答題在大規(guī)模集成電路中，閂鎖效應(yīng)來自于MOS器件有源區(qū)PN結(jié)與襯底之間寄生的雙極性晶體管。請舉出3種微電子工藝中利用離子注入或別的手段抑制或消除閂鎖效應(yīng)的方法。
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