試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅(qū)動能力。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

集成電容主要有幾種結構？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？