從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。