A.小晶片、小K值斜探頭
B.大晶片、小K值斜探頭
C.小晶片、大K值斜探頭
D.大晶片、大K值斜探頭
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A.大角度斜探頭
B.小角度斜探頭
C.水浸探頭
D.直探頭
A.聲能集中，靈敏度高
B.有效檢測(cè)距離有限制
C.聲束小，每次掃查區(qū)域小
D.以上選項(xiàng)全部
A.聲束指向角
B.探頭近場(chǎng)長(zhǎng)度
C.發(fā)射強(qiáng)度和對(duì)小缺陷的檢出能力
D.以上選項(xiàng)全部
A.A型脈沖穿透式
B.A型脈沖反射式
C.A型連續(xù)穿透式
D.A型連續(xù)反射式
A.聲束指向角
B.探頭近場(chǎng)長(zhǎng)度
C.聲束能量和不同深度缺陷的檢出能力
D.以上選項(xiàng)全部
最新試題
調(diào)節(jié)時(shí)基線(xiàn)時(shí)，應(yīng)使（）同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長(zhǎng)工件上時(shí)，在底波之后出現(xiàn)一系列的波，這種波是（）。
直接接觸法是指探頭與工件之間（）。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí)，下面敘述中（）是錯(cuò)誤的。
（）是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測(cè)出規(guī)定大小缺陷的能力，一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)確定。
用橫波斜探頭檢測(cè)，找到缺陷最大回波后，探頭所在截面及（）可以確定缺陷位置。
在對(duì)缺陷進(jìn)行定量前，必須先調(diào)節(jié)（）。
超聲檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度余量（）。
超聲波儀時(shí)基線(xiàn)的水平刻度與實(shí)際聲程成正比的程度，即（）。
當(dāng)超聲波到達(dá)工件的臺(tái)階、螺紋等輪廓時(shí)將引起反射，這種波是（）。