問答題試寫出常用典型SMC電阻器的主要技術(shù)參數(shù)。
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兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn),又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在顯影過程中,對于正性抗蝕劑,顯影液的使用要求是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí),判斷其造成原因有()
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過程中,對刻蝕的要求是()
題型:多項(xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
題型:多項(xiàng)選擇題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的?
題型:問答題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上,那么i線的UV光波長為()
題型:單項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。
題型:單項(xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個(gè)過程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
題型:單項(xiàng)選擇題