根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。