有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

等離子體

內(nèi)光電效應(yīng)

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

本征光電導(dǎo)

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。