有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

光電導(dǎo)效應(yīng)

XPS只能檢測元素種類，無法標(biāo)定元素含量。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

非本征光電導(dǎo)

磁滯回線

敏化劑

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

本征光電導(dǎo)

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。