問(wèn)答題靜電的產(chǎn)生。
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1.問(wèn)答題測(cè)試的一般要求。
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3.問(wèn)答題IIL串行測(cè)試方法。
4.問(wèn)答題VOH/IOH靜態(tài)測(cè)試方法。
5.問(wèn)答題IDD靜態(tài)電流測(cè)試方法。
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半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型：判斷題
AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。
題型：判斷題
本征吸收
題型：名詞解釋
非本征光電導(dǎo)
題型：名詞解釋
激活劑
題型：名詞解釋
TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒(méi)有要求。
題型：判斷題
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型：判斷題
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
題型：判斷題
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
題型：判斷題
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。
題型：判斷題