通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

光生伏特效應(yīng)

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

TEM觀測與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

光生伏特效應(yīng)

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。