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單項(xiàng)選擇題JFET的工作原理是利用閘極電壓來控制（）

A.通道中載子的濃度
B.通道中之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度

1.單項(xiàng)選擇題 如圖所示，Q₁，Q₂為相同二極管，I=？（）

A.10mA
B.20mA
C.5mA
D.1mA

2.單項(xiàng)選擇題 右圖所示之N信道JFET電路，已知JFET之I_DSS=4mA，V_P=－4V，使此JFET工作于飽和區(qū)（SaturationRegion），且其汲極電流I_D=1mA，則R_S應(yīng)為：（）

A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
E.5kΩ

3.單項(xiàng)選擇題下列的放大電路中，那一個(gè)不是屬于場效應(yīng)晶體管的放大電路組態(tài)？（）

A.共集極放大電路
B.共源極放大電路
C.共汲極放大電路
D.共閘極放大電路

4.單項(xiàng)選擇題以TTL推動CMOS邏輯閘時(shí)，最簡單的界面連接技術(shù)是加一個(gè)無源提升（pull－up）（）

A.電感器
B.電容器
C.電阻器
D.PN二極管

5.單項(xiàng)選擇題有關(guān)FET的敘述，與晶體管相較，下列何者正確？（）

A.雜音較多
B.輸入阻抗較高
C.高頻響應(yīng)較好
D.增益帶寬乘積通常比晶體管為佳