單項選擇題以TTL推動CMOS邏輯閘時,最簡單的界面連接技術(shù)是加一個無源提升(pull-up)()
A.電感器
B.電容器
C.電阻器
D.PN二極管
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1.單項選擇題有關(guān)FET的敘述,與晶體管相較,下列何者正確?()
A.雜音較多
B.輸入阻抗較高
C.高頻響應(yīng)較好
D.增益帶寬乘積通常比晶體管為佳
2.單項選擇題
右圖之電路,若|IDSS|=4mA,VP=4V,則VGS為()
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
3.單項選擇題
如圖之電路,其參數(shù)值gm=2mA/V,rd=40k,若RD=20k,則電壓增益Av為()
A.-57
B.-38
C.-26.6
D.-20.5
4.單項選擇題FET共泄極放大器的電壓增益()
A.甚高
B.約等于μ
C.等于1
D.略小于1
5.單項選擇題TO-3包裝之功率晶體管,其外殼為()
A.集極
B.射極
C.基底(substrate)
D.基極
最新試題
下列哪個描述是RS觸發(fā)器的一個應(yīng)用場景?()
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或門電路(OR Gate)的邏輯功能可以描述為()
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