單項選擇題
右圖所示之N信道JFET電路，已知JFET之IDSS=4mA，VP=－4V，使此JFET工作于飽和區(qū)（SaturationRegion），且其汲極電流ID=1mA，則RS應(yīng)為：（）
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
E.5kΩ
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1.單項選擇題下列的放大電路中，那一個不是屬于場效應(yīng)晶體管的放大電路組態(tài)？（）
A.共集極放大電路
B.共源極放大電路
C.共汲極放大電路
D.共閘極放大電路
2.單項選擇題以TTL推動CMOS邏輯閘時，最簡單的界面連接技術(shù)是加一個無源提升（pull－up）（）
A.電感器
B.電容器
C.電阻器
D.PN二極管
3.單項選擇題有關(guān)FET的敘述，與晶體管相較，下列何者正確？（）
A.雜音較多
B.輸入阻抗較高
C.高頻響應(yīng)較好
D.增益帶寬乘積通常比晶體管為佳
4.單項選擇題
右圖之電路，若|IDSS|=4mA，VP=4V，則VGS為（）
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
5.單項選擇題
如圖之電路，其參數(shù)值gm=2mA/V，rd=40k，若RD=20k，則電壓增益Av為（）
A.－57
B.－38
C.－26.6
D.－20.5
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74LS163的清除功能是如何實現(xiàn)的？（）
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