單項選擇題

如圖所示N信道增強(qiáng)型MOSFET偏壓電路，其閘極至源極的電壓VGS=？（）

A.9.6V
B.14.4V
C.0V
D.12V
E.8V


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1.單項選擇題有關(guān)雙極性接面晶體管（BJT）特性之?dāng)⑹觯铝泻握哂姓`？（）

A.BJT為電流控制組件
B.NPN型BJT正常工作時，流通之多數(shù)載子為電子
C.BJT用于線性放大時，基射極需接反偏，基集極接順偏
D.不可以二個頭或尾對接之二極管來代替BJT組件使用

2.單項選擇題某晶體管之β值為99，則其α值應(yīng)為？（）

A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995

3.單項選擇題下列有關(guān)MOSFET之?dāng)⑹?，何者有誤？（）

A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強(qiáng)型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO2）
D.與增強(qiáng)型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)

4.單項選擇題JFET之工作原理是控制（）

A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度

5.單項選擇題通常接面場效晶體管（JFET）輸入阻抗大是因為（）

A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓