單項選擇題某晶體管之β值為99,則其α值應(yīng)為?()
A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995
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1.單項選擇題下列有關(guān)MOSFET之?dāng)⑹?,何者有誤?()
A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道(channel)間一般是隔著二氧化硅(SiO2)
D.與增強型比較,空乏型在制造上多了離子布植(ionimplantation)的手續(xù)
2.單項選擇題JFET之工作原理是控制()
A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
3.單項選擇題通常接面場效晶體管(JFET)輸入阻抗大是因為()
A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓
4.單項選擇題
右圖中,若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE(SAT)=0.2V,β=50,則此晶體管工作于?()
A.作用區(qū)(順向主動區(qū))
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉(zhuǎn)區(qū)(逆向主動區(qū))
5.單項選擇題有一空乏型(Depletion)MOSFET之IDSS=12mA,VP=-4.8V,求VGS=-2.4V時,ID=?()
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
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