A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強(qiáng)型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO2）
D.與增強(qiáng)型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)
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A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓
右圖中，若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE（SAT）=0.2V，β=50，則此晶體管工作于？（）
A.作用區(qū)（順向主動(dòng)區(qū)）
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉(zhuǎn)區(qū)（逆向主動(dòng)區(qū)）
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
A.有PN接面有逆向電流
B.無PN接面有逆向電流
C.無PN接面無逆向電流
D.有PN接面無逆向電流
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555時(shí)基電路的主要功能不包括以下哪項(xiàng)？（）
下列哪種類型的正弦波振蕩器輸出功率大且頻率較高？（）
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