A.10
B.20
C.1000
D.1024
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D.只與D有關(guān)
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B.16
C.128
D.256
A.下降沿觸發(fā)
B.上升沿觸發(fā)
C.高電平觸發(fā)
D.低電平觸發(fā)
最新試題
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用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。