單項選擇題發(fā)生電子對效應(yīng)的條件是()。
A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
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1.單項選擇題電子對在不同方向飛出,其方向與入射光子的()相關(guān)。
A、數(shù)量
B、尺寸
C、能量
D、重量
2.單項選擇題在X射線管中,高速運動的電子與靶相撞,能夠產(chǎn)生連續(xù)X射線,在特殊情況下也能產(chǎn)生()。
A、特征X射線
B、示性X射線
C、熒光輻射
D、以上都對
3.單項選擇題下列不屬于特征X射線的別稱的是()。
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識X射線
D、連續(xù)X射線
4.單項選擇題特征X射線又稱為()。
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識X射線
D、以上都是
5.單項選擇題原子的組成部分為質(zhì)子、電子和()。
A、中子
B、分子
C、光子
D、光子、中子
最新試題
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
題型:單項選擇題
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號的同時具備探傷、電導(dǎo)率測量()測量功能的通用型儀器。
題型:單項選擇題
對于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
題型:單項選擇題
在聲束垂直試件表面時,所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
題型:單項選擇題
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生()
題型:單項選擇題
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
題型:單項選擇題
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
題型:單項選擇題
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實用AVG曲線。
題型:單項選擇題
直接射向缺陷的波就是()
題型:單項選擇題
特性是指實體所特有的性質(zhì),它反映子實體滿足需要的()
題型:單項選擇題