A、表面波
B、板波
C、疏密波
D、剪切波
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A、障礙物對(duì)超聲波的傳播幾乎沒(méi)有影響
B、波到達(dá)障礙物后形成新的波源向四周發(fā)射
C、超聲波將發(fā)生反射、折射和透射
D、有如射波的反射和透射
A、θ=57λ/D
B、θ=57λ/b
C、θ=57λ/a
D、B和C都對(duì)
A、指向性
B、近場(chǎng)區(qū)
C、振速
D、入射
A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
最新試題
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
各類渦流檢測(cè)儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì),它反映子實(shí)體滿足需要的()
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來(lái)表示缺陷的()
鑄件超聲檢測(cè)的特點(diǎn)是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射,相應(yīng)的可檢缺陷尺寸()