單項選擇題要觀察半導體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應使用（）。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
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1.多項選擇題芯片發(fā)生失效的機理包括（）。
A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應力
2.單項選擇題引起芯片翹曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。
A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大
3.單項選擇題下列封裝形式，最容易發(fā)生底座偏移的為（）。
A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝
4.單項選擇題材料的體積、面積或長度隨溫度的變化而變化，這是材料的（）。
A.熱膨脹系數(shù)
B.熱失配系數(shù)
C.熱應力系數(shù)
D.熱應變系數(shù)
5.單項選擇題潮氣滲透可用以下哪種方法測定？（）
A.稱重池
B.隔離池
C.吸收因子
D.膨脹系數(shù)
最新試題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題