改良西門子法的顯著特點不包括（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）