A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法
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A、誘導(dǎo)期
B、加速期
C、衰減期
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A、色散
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C、溫度的影響
D、波長(zhǎng)的影響
A、色散
B、反射
C、吸收
D、透過(guò)
A、調(diào)整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴(kuò)展斷裂
D、應(yīng)力斷裂
最新試題
PN結(jié)的基本特性是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）