A、色散
B、反射
C、吸收
D、透過
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A、調(diào)整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴(kuò)展斷裂
D、應(yīng)力斷裂
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
A、剪切強(qiáng)度
B、抗壓強(qiáng)度
C、抗拉強(qiáng)度
D、抗折強(qiáng)度
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()