單項(xiàng)選擇題玻璃熔制的主要設(shè)備為（）。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
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1.單項(xiàng)選擇題一次風(fēng)占燃燒所需要空氣量的（）。
A、15％－30％
B、20％―50％
C、40％―60％
D、50％―70％
2.單項(xiàng)選擇題水泥生料的主要原料不包括（）。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
3.單項(xiàng)選擇題陶瓷的主要原料包括（）。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
4.單項(xiàng)選擇題陶瓷?；纱善诘钠鹗紲囟仁牵ǎ?/a>
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
5.單項(xiàng)選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是（）。
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題