A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
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A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
A、溫度和反應(yīng)時間
B、生料的細(xì)度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()