A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
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A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
A、降低熱膨脹系數(shù)
B、提高熱穩(wěn)定性
C、提高機(jī)械強(qiáng)度
D、補(bǔ)償坯體收縮作用
A、反應(yīng)劑
B、助熔劑
C、穩(wěn)定劑
D、澄清劑
A、方解石
B、泥灰?guī)r
C、白泥
D、白堊
A、石灰石
B、方解石
C、泥灰?guī)r
D、白堊
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。