A.圓片形
B.球形
C.圓柱形
D.點(diǎn)狀形
E.條形
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A.晶片直徑大
B.頻率低
C.指向性好
D.晶片直徑小
E.頻率高
A.濃度
B.價(jià)格
C.形狀
D.聲阻抗
E.耦合層厚度
A.垂直線性
B.水平線性
C.晶片尺寸
D.頻率與K值
E.探頭形式
A.始波寬度
B.入射點(diǎn)
C.聲束寬度
D.回波頻率
E.K值
A.聲速
B.聲壓
C.聲強(qiáng)
D.內(nèi)應(yīng)力
E.外應(yīng)力
最新試題
儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié),當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí),儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí),不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷,其回波高相差不大。
衍射時(shí)差法探傷,當(dāng)有缺陷存在時(shí),在直通波和底面反射波之間,接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。
水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時(shí),接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過(guò)一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
無(wú)論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。